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        產品中心 PRODUCT

          公司以自主研發的離子源技術、等離子體源技術及高電壓技術、自動控制技術、真空技術,先后開發了多種類型的材料表面處理設備及相關工藝,已廣泛應用于機械加工、半導體、石油鉆井、航空航天及生物醫學領域,以國內領先的技術與產品性能獲得用戶的極高評。

        兩層型撓性覆銅板離子鍍膜設備

          基本配置和技術參數 1.
        真空室:本系統共有5個真空腔室,分別為放卷室、霍爾離子源清洗室、金屬離子源注入室、直流磁過濾沉積室和收卷室。其中放卷、離子源清洗和離子源注入組


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          基本配置和技術參數 1.
        真空室:本系統共有5個真空腔室,分別為放卷室、霍爾離子源清洗室、金屬離子源注入室、直流磁過濾沉積室和收卷室。其中放卷、離子源清洗和離子源注入組


        兩層型撓性覆銅板離子鍍膜設備


              

         


        基本配置和技術參數

        1、真空室:本系統共有5個真空腔室,分別為放卷室、霍爾離子源清洗室、金屬離子源注入室、直流磁過濾沉積室和收卷室。其中放卷、離子源清洗和離子源注入組成獨立立式方形腔體,中間有隔板,腔體尺寸為450X450X1650mm。左右腔室中間有方形連接管,兩個腔室放置于同一支撐平臺之上?;魻栯x子源和金屬源室在離子束遠端安裝有內水冷板,在直流磁過濾室冷鼓四周安裝有內水冷版和可拆卸內襯。

        2、真空抽氣系統:5個腔體分別配備5套抽氣系統。放卷室配備兩臺分子泵主抽,配備兩臺機械泵作為前級。其他腔室分別配備4套分子泵。極限真空可以優于5X10-4Pa,從大氣到7X10-3Pa小于25分鐘。


               

        3、薄膜卷繞及控制系統:采用主動放卷及冷鼓恒速控制的三電機系統,在收卷及放卷側加有張力傳感及控制,中間用過軸導向。整套卷繞系統采用懸臂結構。

        4、配備有真空測量和氣體反饋系統

        5、離子源的配備:采用一套條形陽極層霍爾離子源實現離子束清洗功能。離子束能量0-1000eV,離子束流0-2A。束有效長度大于300mm。采用一套MEVVA金屬離子源,實現離子注入。采用兩套直流磁過濾等離子體源,弧流在40-70A可調。

        3、薄膜卷繞及控制系統:采用主動放卷及冷鼓恒速控制的三電機系統,在收卷及放卷側加有張力傳感及控制,中間用過軸導向。整套卷繞系統采用懸臂結構。

        4、配備有真空測量和氣體反饋系統

        5、離子源的配備:采用一套條形陽極層霍爾離子源實現離子束清洗功能。離子束能量0-1000eV,離子束流0-2A。束有效長度大于300mm。采用一套MEVVA金屬離子源,實現離子注入。采用兩套直流磁過濾等離子體源,弧流在40-70A可調。



         

                 


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